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MOPAファイバーレーザーマークマシン YSL-M20Dレーザー出力 20W

プロダクト細部

起源の場所: 江蘇

ブランド名: Yushunli

証明: CE, RUV Rheinland (China), GMC(GlobalMarket),ISO9001-2000

モデル番号: YSL-M20D

支払及び船積みの言葉

最小注文数量: 1セット

価格: USD 7000~12000

パッケージの詳細: 複合木のケース

受渡し時間: 3日から7日

支払条件: T/T、Paypalの西連合、L/C、D/P。

供給の能力: 300セット月

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ハイライト:

20WのMOPAファイバーレーザーマーキングマシン

,

Fiber Laser Marking Machine

機器タイプ:
YSL-M20D YSL-M30D
レーザー出力:
20W
中央波長:
1064nm
M2:
<1.5 <1.6
示す範囲:
140mm*140mm 200mm*200mm
140mm*140mm 200mm*200mm:
約162mm 約290mm
最低の線幅:
0.05 mm は
最低特性:
0.3mm は
レーザーの繰返し率:
1〜4000KHz
機器タイプ:
YSL-M20D YSL-M30D
レーザー出力:
20W
中央波長:
1064nm
M2:
<1.5 <1.6
示す範囲:
140mm*140mm 200mm*200mm
140mm*140mm 200mm*200mm:
約162mm 約290mm
最低の線幅:
0.05 mm は
最低特性:
0.3mm は
レーザーの繰返し率:
1〜4000KHz
MOPAファイバーレーザーマークマシン YSL-M20Dレーザー出力 20W

MOPAファイバーレーザーマークマシン YSL-M20D

 

MOPAファイバーレーザーマークマシン YSL-M20Dレーザー出力 20W 0

 

 

設備の分析

MOPAファイバーレーザーマークマシン YSL-M20Dレーザー出力 20W 1

指標の平均値

 

MOPAファイバーレーザーマークマシンの利点:

 

1.MOPAシリーズは,シードソース (MOPA) ソリューションとして直接電気調節半導体レーザーを使用した高性能ファイバーレーザーです.完璧なレーザー特性と良いパルス形状制御を持っています.Qスイッチされたファイバーレーザーと比較して,MOPAファイバーレーザーは,パルス周波数とパルス幅を独立して制御することができます.2つのレーザーパラメータを調整し,マッチすることで,恒常的なピーク電源伝送を達成し,より幅広いマーク基板に適用できます.Qスイッチレーザーの不可能を MOPAの可能性に変える高速マークの用途では特に有利である.

 

2. エネルギー消費を大幅に節約する.使用コストが低い.

 

3レーザーには メンテナンスの必要もありませんし レンズも 調整したり 掃除したりする必要もありません

 

4レーザーダイオードをポンプ源として使用する.

 

5レーザーは光ケーブルを通してレーザー距離伝達を達成し,コンパクトな構造を持っています.良い熱散効果,巨大な水冷却システムの必要がない.シンプルな冷却機のみが必要です衝撃,振動,高温,塵などの厳しい環境でも使用できます.

 

6処理速度は従来のレーザーマーキングマシンの2-3倍です

 

 

装置のパラメータ

 

MOPAファイバーレーザーマークマシン YSL-M20Dレーザー出力 20W 2

 

 

装置名 MOPA ファイバーレーザーマーキングマシン MOPA ファイバーレーザーマーキングマシン
機器の種類 YSL-M20D YSL-M30D
レーザー出力 20W 20W
中央波長 1064nm 1064nm
M2 <1.5 <1.6
標識範囲 140mm*140mm 200mm*200mm
焦点距離 約162mm 約290mm
最小ライン幅 0.05 mm は 0.05 mm は
最低文字数 0.3mm は 0.3mm は
レーザー重複率 1〜4000kHz 1〜4000kHz
パルス幅 2〜350nm 2〜350nm
刻印深さ 0.01mm は 0.01mm は
繰り返し性 + / - 0.002 mm + / - 0.002 mm
総動力 0.5KW 0.6KW
電源の名乗入力電源 0.5KW 0.6KW
冷却システム 空気冷却 空気冷却
電力需要 220v/50Hz 220v/50Hz
サポート形式 AI,BMP,DST,DWG,DXF,LAS,PLA AI,BMP,DST,DWG,DXF,LAS,PLA
機械の外観の寸法 800mm*680mm*1500mm 800mm*680mm*1500mm

 

 

装備銃撃

 

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                     L についてeft 右

 

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パッケージ パッケージ

 

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裏の内部の詳細 サイドの内部の詳細

 

 

構成要素分析

 

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